1、它綜合考慮了襯偏效應、短溝道效應以及兩者之間的關(guān)系。
2、泥石流溝道侵蝕作為一種特殊的侵蝕類(lèi)型，與一般水流相比，其侵蝕作用非常強烈，在一次過(guò)程中便可刷深溝床數米甚至數十米。
3、闡述了土谷坊的設計原則、施工方法及其在溝道治理工程中的應用。
4、基本保留了鳳凰臺、回水溝與厚慈街的位置，對十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進(jìn)一步改善。
5、高能粒子在碳納米管繩里的溝道效應，顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。
6、帶電粒子在晶體中的運動(dòng)會(huì )受到溝道效應和阻塞效應的強烈影響。
7、為了減小小尺寸器件的短溝道效應，采取了改進(jìn)器件的結構、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。
8、其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產(chǎn)生短溝道效應。
9、實(shí)驗得到的半波長(cháng)與理論計算值在誤差范圍內一致，晶面溝道方向的阻止本領(lǐng)略大于隨機方向的阻止本領(lǐng)。
10、藉由本發(fā)明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線(xiàn)，避免短溝道效應，提升元件的效能。
11、第五章設計了全溝道構成的屏上驅動(dòng)電路，包括反相器、移位寄存器、傳輸門(mén)的設計，并用仿真軟件進(jìn)行了仿真驗證。
12、產(chǎn)品型號穩定是加工水泵、紡織軸承溝道、滾道之最佳選擇。
13、特定來(lái)說(shuō)，在非易失性存儲器裝置經(jīng)歷許多編程循環(huán)時(shí)，電荷變?yōu)榉@在浮動(dòng)柵極與溝道區之間的絕緣體或電介質(zhì)中。?
14、村周?chē)汕先f(wàn)的溝道、石堰，為收藏石頭提供了絕佳的天然場(chǎng)所。
15、溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色，探討了其有別于經(jīng)典海相重力流相模式的原因。
16、本發(fā)明對底電極的修飾采用溝道半導體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢差。
17、通過(guò)與一維模型的比較，說(shuō)明在深亞微米器件中隱埋層的二維效應會(huì )導致器件提前出現短溝道效應。
18、溝道效應的運動(dòng)阻尼與系統走向混沌的臨界特征。
19、在較淺的溝道里，如果流量過(guò)大就可能使溝水漫溢，并引起連鎖反應，從而產(chǎn)生沖溝。
20、提出了近北遠南、截流溝道、河灘漫流、排口分級管理的新觀(guān)點(diǎn)。
21、湖底扇、辮狀溝道砂體易于形成巖性油氣藏。
22、三級模型也成為半經(jīng)驗模型，這個(gè)模型不僅包括了亞閾值情況，而且還試圖說(shuō)明了短溝道效應和窄溝道效應。
23、由于溝道存在很強的溝床和溝壁侵蝕，溝道也成為土壤侵蝕風(fēng)險區。
24、絕緣柵雙極晶體管。溝道增強模式，高速開(kāi)關(guān)。
25、文中通過(guò)利用耗盡層阻斷溝道的方法，討論了一種基于結構原理實(shí)現“或非”邏輯功能的器件結構。
26、時(shí)，由于制造工藝的局限性以及溝道長(cháng)度變短、結深變淺后，器件穿通風(fēng)險加大。
27、最后，模擬研究了“雙溝道”結構，并根據模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性，優(yōu)化了“低溝道”層和“高溝道”層的結構參數。
28、傳統晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。
29、介紹一種采用電磁鐵驅動(dòng)的砂輪修整定位機構，用于單溝道軸承磨床改造，實(shí)現軸承套圈雙溝道一次磨削和自動(dòng)磨削。
30、這樣在源和漏之間就產(chǎn)生了一個(gè)導電的型溝道。
31、骨干壩的布局應遵循三均衡原則，即單壩區間控制面積基本均衡，對干支溝的溝道控制基本均衡，單壩淤地面積與區間控制面積的比值基本均衡。
32、經(jīng)分析，是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過(guò)大，勢壘區耗盡層遠小于溝道寬度，柵壓起不到明顯的調控作用。
33、被排出的漿液通過(guò)溝道被送到吸收塔排水坑。
34、它還集成了兩個(gè)內部低飽和晶體管，措置雙溝道充電性能。
35、由于這種連接可能出現較大的泄漏溝道，故可用密封劑、密封膠帶或填料來(lái)堵塞這些溝道。
36、模擬結果顯示：越細長(cháng)的溝道，器件的短溝效應越弱，器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。